Технічний опис IPP037N08N3G Infineon technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1.
Інші пропозиції IPP037N08N3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP037N08N3G | Rochester Electronics, LLC |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 144 шт В кошику од. на суму грн. | |
| IPP037N08N3 G | Rochester Electronics, LLC |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 295 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPP037N08N3G |
![]() |
Виробник: Rochester Electronics, LLC
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP037N08N3 G |
![]() |
Виробник: Rochester Electronics, LLC
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)


