IPP037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 121.30 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm.
Інші пропозиції IPP037N08N3GXKSA1 за ціною від 73.45 грн до 334.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP037N08N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 234 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V |
на замовлення 2774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3 |
на замовлення 2182 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP037N08N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm |
на замовлення 767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP037N08N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 121.30 грн |
| IPP037N08N3GXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 239.08 грн |
| 10+ | 127.09 грн |
| 13+ | 78.40 грн |
| 34+ | 74.28 грн |
| 100+ | 73.45 грн |
| IPP037N08N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 242.97 грн |
| 10+ | 152.64 грн |
| 50+ | 117.53 грн |
| 100+ | 99.66 грн |
| 500+ | 81.03 грн |
| IPP037N08N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3
MOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 263.64 грн |
| 10+ | 131.20 грн |
| 100+ | 102.39 грн |
| 500+ | 77.52 грн |
| IPP037N08N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 302.38 грн |
| IPP037N08N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 302.90 грн |
| IPP037N08N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 333.54 грн |
| IPP037N08N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 334.88 грн |
| IPP037N08N3GXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)