Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP037N08N3GXKSA1
IPP037N08N3GXKSA1

IPP037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipp037n08n3_rev2.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP037N08N3GXKSA1 за ціною від 71.49 грн до 245.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp037n08n3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+126.38 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp037n08n3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+151.25 грн
10+144.29 грн
25+107.85 грн
100+97.37 грн
500+82.08 грн
1000+72.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp037n08n3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+163.52 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB146D4A8B411C&compId=IPP037N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=64c6c32f058f82ac6d07d999c4f316e79c242e05 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+197.48 грн
10+146.08 грн
12+76.15 грн
33+71.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp037n08n3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+198.95 грн
71+174.49 грн
100+133.72 грн
500+120.29 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp037n08n3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+207.92 грн
68+181.83 грн
100+139.43 грн
500+125.01 грн
1000+95.16 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP037N08N3_DS_v02_04_EN-1731937.pdf MOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3
на замовлення 3847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.47 грн
10+197.30 грн
25+120.84 грн
100+111.89 грн
500+93.24 грн
1000+86.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Виробник : INFINEON INFNS15855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.58 грн
10+207.52 грн
100+133.05 грн
500+101.01 грн
1000+87.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB146D4A8B411C&compId=IPP037N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=64c6c32f058f82ac6d07d999c4f316e79c242e05 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.98 грн
10+182.04 грн
12+91.38 грн
33+85.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP037N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae8426111565b Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.30 грн
50+135.43 грн
100+123.93 грн
500+95.03 грн
1000+88.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp037n08n3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp037n08n3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.