Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP037N08N3GXKSA1
IPP037N08N3GXKSA1

IPP037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipp037n08n3_rev2.1.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+120.06 грн
50+118.86 грн
100+109.96 грн
500+100.06 грн
1000+88.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPP037N08N3GXKSA1 за ціною від 71.27 грн до 285.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp037n08n3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.63 грн
119+119.42 грн
129+110.48 грн
500+100.53 грн
1000+89.03 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP037N08N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 566 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+233.90 грн
10+111.99 грн
50+78.90 грн
100+77.20 грн
250+72.96 грн
500+71.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP037N08N3_DS_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.56 грн
10+128.07 грн
100+101.49 грн
500+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP037N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae8426111565b Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.56 грн
50+133.36 грн
100+120.76 грн
500+92.61 грн
1000+85.95 грн
2000+80.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 INFINEON INFNS15855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.34 грн
10+136.50 грн
100+117.59 грн
500+103.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp037n08n3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp037n08n3_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 ipp037n08n3_rev2.1.pdf
IPP037N08N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
118+120.63 грн
119+119.42 грн
129+110.48 грн
500+100.53 грн
1000+89.03 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3G-DTE.pdf
IPP037N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 566 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+233.90 грн
10+111.99 грн
50+78.90 грн
100+77.20 грн
250+72.96 грн
500+71.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 Infineon_IPP037N08N3_DS_v02_04_EN.pdf
IPP037N08N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+256.56 грн
10+128.07 грн
100+101.49 грн
500+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae8426111565b
IPP037N08N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+273.56 грн
50+133.36 грн
100+120.76 грн
500+92.61 грн
1000+85.95 грн
2000+80.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 INFNS15855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP037N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+285.34 грн
10+136.50 грн
100+117.59 грн
500+103.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 ipp037n08n3_rev2.1.pdf
IPP037N08N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 ipp037n08n3_rev2.1.pdf
IPP037N08N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.