
IPP037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 59.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP037N08N3GXKSA1 за ціною від 82.33 грн до 250.60 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP037N08N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP037N08N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP037N08N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP037N08N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP037N08N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP037N08N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP037N08N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP037N08N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V |
на замовлення 1033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP037N08N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPP037N08N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |