Інші пропозиції IPP040N06N3GXKSA1 транзистор за ціною від 41.26 грн до 156.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Power dissipation: 188W Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 336 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V |
на замовлення 529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |