Інші пропозиції IPP040N06N3GXKSA1 транзистор за ціною від 43.82 грн до 193.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 741731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP040N06N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Power dissipation: 188W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 192 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IPP040N06N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4000 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 188W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP040N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 251+ | 56.61 грн |
| 265+ | 53.59 грн |
| 500+ | 50.83 грн |
| 1000+ | 47.74 грн |
| IPP040N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 65.85 грн |
| 14+ | 56.12 грн |
| 100+ | 53.14 грн |
| 500+ | 48.60 грн |
| 1000+ | 43.82 грн |
| IPP040N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 376+ | 94.46 грн |
| 500+ | 85.01 грн |
| 1000+ | 78.42 грн |
| IPP040N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 741731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 376+ | 94.46 грн |
| 500+ | 85.01 грн |
| 1000+ | 78.42 грн |
| 10000+ | 67.41 грн |
| 100000+ | 52.30 грн |
| IPP040N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 137.81 грн |
| 10+ | 78.94 грн |
| 50+ | 73.12 грн |
| IPP040N06N3GXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 154.55 грн |
| 10+ | 95.28 грн |
| IPP040N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 193.65 грн |
| 10+ | 105.39 грн |
| 100+ | 89.80 грн |
| 500+ | 75.28 грн |
| 1000+ | 65.23 грн |
| IPP040N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 74+ | 193.65 грн |
| 135+ | 105.39 грн |
| 158+ | 89.80 грн |
| 500+ | 75.28 грн |
| 1000+ | 65.23 грн |
| IPP040N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP040N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







