
IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 38.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP040N06N3GXKSA1 за ціною від 45.76 грн до 219.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TO220-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A On-state resistance: 4mΩ Power dissipation: 188W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TO220-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A On-state resistance: 4mΩ Power dissipation: 188W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 420 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon | Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C |
на замовлення 76 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP040N06N3GXKSA1 транзистор Код товару: 202066
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |