Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPP040N06N3GXKSA1 транзистор

IPP040N06N3GXKSA1 транзистор

Код товару: 202066
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP040N06N3GXKSA1 транзистор за ціною від 46.18 грн до 189.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+66.48 грн
227+62.52 грн
500+57.61 грн
1000+54.99 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.02 грн
12+66.05 грн
100+62.12 грн
500+55.19 грн
1000+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+94.25 грн
500+84.82 грн
1000+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 741731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+94.25 грн
500+84.82 грн
1000+78.24 грн
10000+67.26 грн
100000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.51 грн
10+78.77 грн
50+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.21 грн
148+95.64 грн
166+85.28 грн
500+71.18 грн
1000+65.25 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP040N06N3 G-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON INFNS17005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.23 грн
50+68.87 грн
100+61.73 грн
500+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
213+66.48 грн
227+62.52 грн
500+57.61 грн
1000+54.99 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+89.02 грн
12+66.05 грн
100+62.12 грн
500+55.19 грн
1000+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
376+94.25 грн
500+84.82 грн
1000+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 741731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
376+94.25 грн
500+84.82 грн
1000+78.24 грн
10000+67.26 грн
100000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3G-DTE.pdf
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+137.51 грн
10+78.77 грн
50+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+189.21 грн
148+95.64 грн
166+85.28 грн
500+71.18 грн
1000+65.25 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 Infineon-IPP040N06N3 G-DS-v02_00-EN.pdf
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 INFNS17005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.23 грн
50+68.87 грн
100+61.73 грн
500+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.