IPP040N06NAKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP040N06NAKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP040N06NAKSA1 за ціною від 58.56 грн до 199.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP040N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP040N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP040N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP040N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP040N06NAKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP040N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP040N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP040N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPP040N06NAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TO220-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A On-state resistance: 4mΩ Power dissipation: 107W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPP040N06NAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TO220-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A On-state resistance: 4mΩ Power dissipation: 107W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
товару немає в наявності |