IPP040N06NAKSA1 Infineon Technologies


ipp040n06n_rev2.2.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
281+126.11 грн
500+113.51 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP040N06NAKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 107W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.

Інші пропозиції IPP040N06NAKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP040N06N_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1 INFINEON INFNS19757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1 Infineon Technologies ipp040n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 Infineon_IPP040N06N_DS_v02_02_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 INFNS19757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 ipp040n06n_rev2.2.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.