Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPP040N06NF2SAKMA1

IPP040N06NF2SAKMA1

Infineon-IPP040N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60c2843c86
Код товару: 202353
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP040N06NF2SAKMA1 за ціною від 34.25 грн до 123.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP040N06NF2SAKMA1 IPP040N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies infineonipp040n06nf2sdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1 IPP040N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies infineonipp040n06nf2sdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+75.15 грн
520+67.63 грн
1000+62.38 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1 IPP040N06NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP040N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60c2843c86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.01 грн
10+60.37 грн
50+50.49 грн
100+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1 IPP040N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP040N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60c2843c86 Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.16 грн
50+56.73 грн
100+50.63 грн
500+37.48 грн
1000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1 IPP040N06NF2SAKMA1 INFINEON 3770289.pdf Description: INFINEON - IPP040N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 3500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1 IPP040N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP040N06NF2S_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1 infineonipp040n06nf2sdatasheetv0203en.pdf
IPP040N06NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
263+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1 infineonipp040n06nf2sdatasheetv0203en.pdf
IPP040N06NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
468+75.15 грн
520+67.63 грн
1000+62.38 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1 Infineon-IPP040N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60c2843c86
IPP040N06NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.01 грн
10+60.37 грн
50+50.49 грн
100+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1 Infineon-IPP040N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60c2843c86
IPP040N06NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.16 грн
50+56.73 грн
100+50.63 грн
500+37.48 грн
1000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1 3770289.pdf
IPP040N06NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP040N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 3500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1 Infineon_IPP040N06NF2S_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPP040N06NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.