Технічний опис IPP040N06NXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP040N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 107W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm.
Інші пропозиції IPP040N06NXKSA1 за ціною від 62.12 грн до 191.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP040N06NXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 69A Power dissipation: 36W Case: TO220-3 On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 97950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100VPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP040N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.004 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPP040N06NXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 85.80 грн |
| IPP040N06NXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 86.48 грн |
| 50+ | 85.61 грн |
| 100+ | 82.24 грн |
| IPP040N06NXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 97950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 281+ | 126.11 грн |
| 500+ | 113.51 грн |
| 1000+ | 104.67 грн |
| 10000+ | 90.00 грн |
| IPP040N06NXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 191.25 грн |
| 50+ | 90.77 грн |
| 100+ | 81.69 грн |
| IPP040N06NXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP040N06NXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP040N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
Description: INFINEON - IPP040N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 187.77 грн |
| 10+ | 92.66 грн |
| 100+ | 83.72 грн |
| 500+ | 62.12 грн |





