IPP040N06NXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 190.03 грн |
| 50+ | 90.19 грн |
| 100+ | 81.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP040N06NXKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 69A, Power dissipation: 36W, Case: TO220-3, On-state resistance: 4mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 38nC, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IPP040N06NXKSA1 за ціною від 85.25 грн до 85.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP040N06NXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 69A Power dissipation: 36W Case: TO220-3 On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||
| IPP040N06NXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
товару немає в наявності |