Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP040N06NXKSA1

IPP040N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942 Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+66.87 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP040N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET, Type of transistor: N-MOSFET.

Інші пропозиції IPP040N06NXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP040N06NXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942 IPP040N06NXKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NXKSA1 IPP040N06NXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NXKSA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPA040N06N_2_1-1622357.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.