IPP040N08NF2SAKMA1

IPP040N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPP040N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f70a2eac169b Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 3800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP040N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP040N08NF2SAKMA1 за ціною від 63.77 грн до 249.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP040N08NF2SAKMA1 IPP040N08NF2SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP040N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f70a2eac169b Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N08NF2SAKMA1 IPP040N08NF2SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP040N08NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.32 грн
10+131.98 грн
100+96.53 грн
500+73.19 грн
1000+69.32 грн
2000+63.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N08NF2SAKMA1 IPP040N08NF2SAKMA1 Виробник : INFINEON 3199857.pdf Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.82 грн
10+143.24 грн
100+121.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N08NF2SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp040n08nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+65.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N08NF2SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp040n08nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
168+73.47 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N08NF2SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp040n08nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+78.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N08NF2SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp040n08nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+88.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N08NF2SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp040n08nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
132+93.51 грн
134+91.94 грн
200+86.33 грн
Мінімальне замовлення: 132
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N08NF2SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp040n08nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.