Технічний опис IPP040N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.
Інші пропозиції IPP040N08NF2SAKMA1 за ціною від 76.31 грн до 148.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100VPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 91400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 148000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP040N08NF2SAKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 3600 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm |
на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET > 60-80V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP040N08NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 179+ | 78.76 грн |
| 185+ | 76.31 грн |
| IPP040N08NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 189+ | 105.71 грн |
| IPP040N08NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 125.49 грн |
| 12000+ | 114.67 грн |
| 18000+ | 106.70 грн |
| 24000+ | 97.03 грн |
| IPP040N08NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 91400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 237+ | 148.69 грн |
| 500+ | 133.47 грн |
| 1000+ | 122.93 грн |
| 10000+ | 106.10 грн |
| IPP040N08NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 237+ | 148.69 грн |
| IPP040N08NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 148000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 237+ | 148.69 грн |
| 500+ | 133.47 грн |
| 1000+ | 122.93 грн |
| 10000+ | 106.10 грн |
| 100000+ | 82.31 грн |
| IPP040N08NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP040N08NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






