IPP041N04NGXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 30.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP041N04NGXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP041N04NGXKSA1 за ціною від 31.94 грн до 131.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP041N04NGXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A Power dissipation: 94W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube |
на замовлення 191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP041N04NGXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A Power dissipation: 94W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 191 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 764000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP041N04NGXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
IPP041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
IPP041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
IPP041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
товару немає в наявності |





