IPP041N04NGXKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 34.96 грн |
| 23+ | 33.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP041N04NGXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPP041N04NGXKSA1 за ціною від 32.11 грн до 146.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP041N04NGXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TO220-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 4.1mΩ Power dissipation: 94W Drain current: 80A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V |
на замовлення 176 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 764000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP041N04NGXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPP041N04NGXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 610+ | 57.66 грн |
| 1000+ | 53.18 грн |
| 10000+ | 47.40 грн |
| IPP041N04NGXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 610+ | 57.66 грн |
| 1000+ | 53.18 грн |
| IPP041N04NGXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.1mΩ
Power dissipation: 94W
Drain current: 80A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.1mΩ
Power dissipation: 94W
Drain current: 80A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 105.54 грн |
| 10+ | 55.43 грн |
| 25+ | 49.41 грн |
| 50+ | 45.30 грн |
| 100+ | 41.59 грн |
| IPP041N04NGXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 106.22 грн |
| 50+ | 48.71 грн |
| 100+ | 43.45 грн |
| 500+ | 32.11 грн |
| IPP041N04NGXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 764000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 146.86 грн |
| IPP041N04NGXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP041N04NGXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)