IPP041N04NGXKSA1

IPP041N04NGXKSA1 Infineon Technologies


ipb041n04n_rev2.01.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP041N04NGXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP041N04NGXKSA1 за ціною від 33.80 грн до 133.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb041n04n_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 773500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb041n04n_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+69.79 грн
207+59.10 грн
500+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb041n04n_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+87.25 грн
10+75.13 грн
100+63.62 грн
500+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E96C690B2E211C&compId=IPP041N04NG-DTE.pdf?ci_sign=a7d418e7844ec4329454d1b9295f50f67a9a029a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.66 грн
10+56.44 грн
25+50.31 грн
26+35.77 грн
72+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E96C690B2E211C&compId=IPP041N04NG-DTE.pdf?ci_sign=a7d418e7844ec4329454d1b9295f50f67a9a029a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.99 грн
10+70.33 грн
25+60.37 грн
26+42.92 грн
72+40.56 грн
1000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB041N04N-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f19fec57142 Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.05 грн
10+81.51 грн
100+54.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 Виробник : INFINEON INFNS16283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.75 грн
13+67.04 грн
100+60.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb041n04n_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb041n04n_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB041N04N_DS_v02_00_en-3360270.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.