IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP041N12N3GXKSA1 за ціною від 109.98 грн до 412.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP041N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP041N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP041N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP041N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP041N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP041N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP041N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP041N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP041N12N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 4100 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP041N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP041N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
IPP041N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP041N12N3GXKSA1; PGP12N030H; IPP041N12N3G TIPP041n12n3g |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
IPP041N12N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3 Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar On-state resistance: 4.1mΩ Drain current: 120A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W Drain-source voltage: 120V |
товару немає в наявності |





