Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3GXKSA1

IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies

6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+182.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm.

Інші пропозиції IPP041N12N3GXKSA1 за ціною від 150.69 грн до 492.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+211.64 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+215.44 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+234.11 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+245.01 грн
100+237.69 грн
500+211.42 грн
1000+193.78 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP041N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4.1mΩ
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+318.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.34 грн
10+268.50 грн
50+211.23 грн
100+180.95 грн
500+150.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 947 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+422.67 грн
10+235.64 грн
100+183.37 грн
500+161.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+453.56 грн
10+243.37 грн
50+240.96 грн
100+226.08 грн
500+194.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+492.67 грн
10+248.84 грн
50+246.39 грн
100+230.60 грн
500+196.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 INFINEON IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPP041N12N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+211.64 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPP041N12N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+215.44 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPP041N12N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+234.11 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPP041N12N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+245.01 грн
100+237.69 грн
500+211.42 грн
1000+193.78 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3G-DTE.pdf
IPP041N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4.1mΩ
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+318.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4
IPP041N12N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+417.34 грн
10+268.50 грн
50+211.23 грн
100+180.95 грн
500+150.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4
IPP041N12N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 947 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+422.67 грн
10+235.64 грн
100+183.37 грн
500+161.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPP041N12N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+453.56 грн
10+243.37 грн
50+240.96 грн
100+226.08 грн
500+194.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPP041N12N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+492.67 грн
10+248.84 грн
50+246.39 грн
100+230.60 грн
500+196.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4
IPP041N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf
IPP041N12N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.