Продукція > INFINEON > IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3GXKSA1

IPP041N12N3GXKSA1 Infineon

TIPP041n12n3g_0001.pdf
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP041N12N3GXKSA1; PGP12N030H; IPP041N12N3G TIPP041n12n3g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+146.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP041N12N3GXKSA1 Infineon

Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPP041N12N3GXKSA1 за ціною від 131.10 грн до 360.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP_I_B041N12N3_DS_v02_03_en-1227153.pdf MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.92 грн
10+284.50 грн
25+155.06 грн
250+146.60 грн
500+134.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.51 грн
50+174.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 INFINEON INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+360.17 грн
10+212.97 грн
100+207.22 грн
500+167.22 грн
1000+131.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 Infineon_IPP_I_B041N12N3_DS_v02_03_en-1227153.pdf
IPP041N12N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+291.92 грн
10+284.50 грн
25+155.06 грн
250+146.60 грн
500+134.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4
IPP041N12N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+346.51 грн
50+174.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP041N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+360.17 грн
10+212.97 грн
100+207.22 грн
500+167.22 грн
1000+131.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.