IPP041N12N3GXKSA1 Infineon
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP041N12N3GXKSA1; PGP12N030H; IPP041N12N3G TIPP041n12n3g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 146.94 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
28-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
10 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP041N12N3GXKSA1 Infineon
Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm.
Інші пропозиції IPP041N12N3GXKSA1 за ціною від 149.47 грн до 477.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP041N12N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3 Mounting: THT Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 120A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 4.1mΩ |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IPP041N12N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm |
на замовлення 1461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPP041N12N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 177.19 грн |
| IPP041N12N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 205.25 грн |
| IPP041N12N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 208.94 грн |
| IPP041N12N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 227.05 грн |
| IPP041N12N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 237.62 грн |
| 100+ | 230.51 грн |
| 500+ | 205.04 грн |
| 1000+ | 187.93 грн |
| IPP041N12N3GXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4.1mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4.1mΩ
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 315.89 грн |
| IPP041N12N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 413.95 грн |
| 10+ | 266.32 грн |
| 50+ | 209.51 грн |
| 100+ | 179.48 грн |
| 500+ | 149.47 грн |
| IPP041N12N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 439.88 грн |
| 10+ | 236.02 грн |
| 50+ | 233.69 грн |
| 100+ | 219.26 грн |
| 500+ | 188.17 грн |
| IPP041N12N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 477.80 грн |
| 10+ | 241.33 грн |
| 50+ | 238.95 грн |
| 100+ | 223.64 грн |
| 500+ | 190.92 грн |
| IPP041N12N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP041N12N3GXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP041N12N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)