Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP042N03LGXKSA1
IPP042N03LGXKSA1

IPP042N03LGXKSA1 Infineon Technologies

ipp042n03l_rev2.01.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
161+87.90 грн
165+86.21 грн
197+71.91 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP042N03LGXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 79W, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm.

Інші пропозиції IPP042N03LGXKSA1 за ціною від 64.26 грн до 104.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP042N03LGXKSA1 IPP042N03LGXKSA1 Infineon Technologies ipp042n03l_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.18 грн
10+88.37 грн
50+86.67 грн
100+69.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 IPP042N03LGXKSA1 Infineon Technologies IP(B,P)042N03LG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.61 грн
10+82.61 грн
100+64.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 IPP042N03LGXKSA1 INFINEON IP(B,P)042N03LG.pdf Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 ipp042n03l_rev2.01.pdf
IPP042N03LGXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+103.18 грн
10+88.37 грн
50+86.67 грн
100+69.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 IP(B,P)042N03LG.pdf
IPP042N03LGXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.61 грн
10+82.61 грн
100+64.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 IP(B,P)042N03LG.pdf
IPP042N03LGXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.