Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP042N03LGXKSA1
IPP042N03LGXKSA1

IPP042N03LGXKSA1 Infineon Technologies

IP(B,P)042N03LG.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+107.05 грн
10+84.53 грн
100+65.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP042N03LGXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPP042N03LGXKSA1 за ціною від 36.23 грн до 147.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP042N03LGXKSA1 IPP042N03LGXKSA1 INFINEON INFNS16316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.19 грн
10+93.74 грн
100+64.88 грн
500+46.96 грн
1000+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 INFNS16316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP042N03LGXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+147.19 грн
10+93.74 грн
100+64.88 грн
500+46.96 грн
1000+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.