IPP042N03LGXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 36.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP042N03LGXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP042N03LGXKSA1 за ціною від 39.47 грн до 160.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP042N03LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP042N03LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP042N03LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP042N03LGXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPP042N03LGXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP042N03LGXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
IPP042N03LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPP042N03LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPP042N03LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3 |
товару немає в наявності |