Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP042N03LGXKSA1
IPP042N03LGXKSA1

IPP042N03LGXKSA1 Infineon Technologies

ipp042n03l_rev2.01.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP042N03LGXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPP042N03LGXKSA1 за ціною від 30.13 грн до 113.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP042N03LGXKSA1 IPP042N03LGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp042n03l_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+75.83 грн
165+74.37 грн
197+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 IPP042N03LGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp042n03l_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+82.65 грн
10+70.79 грн
50+69.43 грн
100+55.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 IPP042N03LGXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP042N03LG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 79W
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.91 грн
10+81.23 грн
17+55.18 грн
46+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 IPP042N03LGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IP(B,P)042N03LG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.43 грн
10+84.83 грн
100+66.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 IPP042N03LGXKSA1 Виробник : INFINEON IP(B,P)042N03LG.pdf Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.24 грн
10+91.61 грн
100+71.63 грн
500+33.34 грн
1000+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 IPP042N03LGXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP042N03LG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 79W
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.89 грн
10+101.23 грн
17+66.21 грн
46+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 IPP042N03LGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp042n03l_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 IPP042N03LGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp042n03l_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 IPP042N03LGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP042N03L_DS_v02_00_en-1731857.pdf MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.