Продукція > INFINEON > IPP045N10N3GXKSA1
IPP045N10N3GXKSA1

IPP045N10N3GXKSA1 Infineon

info-tipp045n10n3g.pdf
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G TIPP045n10n3g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+84.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP045N10N3GXKSA1 Infineon

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPP045N10N3GXKSA1 за ціною від 65.15 грн до 233.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.5mΩ
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 214W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+163.55 грн
10+117.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP045N10N3%20G-DS-v02_09-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015d9885241104ce Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.50 грн
50+102.26 грн
100+92.35 грн
500+70.38 грн
1000+65.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP045N10N3 G-DataSheet-v02_09-EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 5807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.62 грн
10+111.05 грн
100+87.40 грн
500+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+224.54 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+233.21 грн
94+151.34 грн
104+137.31 грн
500+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G-DTE.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.5mΩ
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 214W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+163.55 грн
10+117.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 Infineon-IPP045N10N3%20G-DS-v02_09-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015d9885241104ce
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+212.50 грн
50+102.26 грн
100+92.35 грн
500+70.38 грн
1000+65.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 Infineon-IPP045N10N3 G-DataSheet-v02_09-EN.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 5807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+214.62 грн
10+111.05 грн
100+87.40 грн
500+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
63+224.54 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+227.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
61+233.21 грн
94+151.34 грн
104+137.31 грн
500+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.