Продукція > INFINEON > IPP045N10N3GXKSA1
IPP045N10N3GXKSA1

IPP045N10N3GXKSA1 Infineon

info-tipp045n10n3g.pdf
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G TIPP045n10n3g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+83.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP045N10N3GXKSA1 Infineon

Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm.

Інші пропозиції IPP045N10N3GXKSA1 за ціною від 83.87 грн до 400.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.80 грн
97+147.32 грн
105+135.87 грн
500+108.92 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+154.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.21 грн
50+161.58 грн
100+147.96 грн
500+117.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.82 грн
50+175.04 грн
100+160.66 грн
500+128.09 грн
1000+110.10 грн
2000+104.64 грн
5000+103.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+202.24 грн
10+122.98 грн
20+113.84 грн
50+103.04 грн
100+94.73 грн
250+85.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP045N10N3%20G-DS-v02_09-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015d9885241104ce Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.47 грн
50+138.65 грн
100+125.64 грн
500+96.52 грн
1000+89.64 грн
2000+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+400.18 грн
70+203.48 грн
100+184.38 грн
500+145.54 грн
1000+125.16 грн
2000+112.41 грн
5000+107.60 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP045N10N3 G-DataSheet-v02_09-EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 5769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 INFINEON INFN-S-A0004848058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+148.80 грн
97+147.32 грн
105+135.87 грн
500+108.92 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+154.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+163.21 грн
50+161.58 грн
100+147.96 грн
500+117.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+176.82 грн
50+175.04 грн
100+160.66 грн
500+128.09 грн
1000+110.10 грн
2000+104.64 грн
5000+103.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G-DTE.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+202.24 грн
10+122.98 грн
20+113.84 грн
50+103.04 грн
100+94.73 грн
250+85.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 Infineon-IPP045N10N3%20G-DS-v02_09-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015d9885241104ce
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.47 грн
50+138.65 грн
100+125.64 грн
500+96.52 грн
1000+89.64 грн
2000+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+400.18 грн
70+203.48 грн
100+184.38 грн
500+145.54 грн
1000+125.16 грн
2000+112.41 грн
5000+107.60 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 Infineon-IPP045N10N3 G-DataSheet-v02_09-EN.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 5769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 INFN-S-A0004848058-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 170218901618078infineon-ipp045n10n3g-ds-v02_05-en.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.