Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP048N12N3GXKSA1
IPP048N12N3GXKSA1

IPP048N12N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipp048n12n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a771d.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP048N12N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP048N12N3GXKSA1 за ціною від 137.48 грн до 346.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp048n12n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a771d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+171.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp048n12n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a771d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+232.14 грн
57+219.37 грн
59+206.66 грн
100+179.81 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp048n12n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a771d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+248.72 грн
10+236.20 грн
25+235.04 грн
50+221.42 грн
100+192.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP048N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 300W
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.72 грн
10+221.58 грн
50+153.65 грн
100+137.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp048n12n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a771d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+279.32 грн
49+256.45 грн
50+253.41 грн
52+234.88 грн
100+197.77 грн
250+174.71 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp048n12n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a771d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+320.24 грн
10+294.03 грн
25+290.54 грн
50+269.29 грн
100+226.75 грн
250+200.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP048N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+326.06 грн
10+276.12 грн
50+184.38 грн
100+164.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP048N12N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a771dd317cc5 Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 60 V
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+344.31 грн
50+171.92 грн
100+156.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : INFINEON INFNS15856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+346.61 грн
10+197.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp048n12n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a771d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp048n12n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a771d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp048n12n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a771d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP048N12N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a771dd317cc5 MOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.