Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP04CN10NGXKSA1
IPP04CN10NGXKSA1

IPP04CN10NGXKSA1 Infineon Technologies

ipp04cn10n_rev1.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+286.03 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP04CN10NGXKSA1 Infineon Technologies

Description: MV POWER MOS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPP04CN10NGXKSA1 за ціною від 233.66 грн до 455.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP04CN10NGXKSA1 IPP04CN10NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP04CN10N_DS_v01_04_en-3164887.pdf MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+455.47 грн
10+403.07 грн
100+287.36 грн
500+233.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP04CN10NGXKSA1 IPP04CN10NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp04cn10n_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP04CN10NGXKSA1 IPP04CN10NGXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP04CN10NG.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP04CN10NGXKSA1 IPP04CN10NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP04CN10N-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012393a80d1d03d8 Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP04CN10NGXKSA1 IPP04CN10NGXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP04CN10NG.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.