IPP04CN10NGXKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 107+ | 333.11 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
107 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP04CN10NGXKSA1 Infineon Technologies
Description: MV POWER MOS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPP04CN10NGXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP04CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies |
 MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 |
на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP04CN10NGXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3
MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)