IPP050N03LF2SAKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 75.25 грн |
| 10+ | 45.36 грн |
| 100+ | 29.68 грн |
| 500+ | 21.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP050N03LF2SAKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP050N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 53 A, 4950 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, Verlustleistung: 65W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4950µohm.
Інші пропозиції IPP050N03LF2SAKSA1 за ціною від 15.47 грн до 79.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP050N03LF2SAKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET UP TO 60V |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP050N03LF2SAKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP050N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 53 A, 4950 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V Verlustleistung: 65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4950µohm |
на замовлення 2748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPP050N03LF2SAKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 79.01 грн |
| 10+ | 48.71 грн |
| 100+ | 27.73 грн |
| 500+ | 21.46 грн |
| 1000+ | 19.37 грн |
| 2000+ | 18.05 грн |
| 5000+ | 15.47 грн |
| IPP050N03LF2SAKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP050N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 53 A, 4950 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4950µohm
Description: INFINEON - IPP050N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 53 A, 4950 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4950µohm
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 79.01 грн |
| 17+ | 49.42 грн |
| 100+ | 32.35 грн |
| 500+ | 23.02 грн |
| 1000+ | 19.16 грн |