IPP050N03LF2SAKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.62 грн |
| 10+ | 54.23 грн |
| 100+ | 35.87 грн |
| 500+ | 26.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP050N03LF2SAKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.95mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA.
Інші пропозиції IPP050N03LF2SAKSA1 за ціною від 20.67 грн до 98.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP050N03LF2SAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 3245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPP050N03LF2SAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 53A; 65W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 30V Drain current: 53A Power dissipation: 65W Case: TO220-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 4.95mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: MOSFET |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPP050N03LF2SAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IPP050N03LF2SAKSA1 |
товару немає в наявності |