Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPP050N10NF2SAKMA1

IPP050N10NF2SAKMA1

Infineon-IPP050N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa66f3a90008
Код товару: 188954
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP050N10NF2SAKMA1 за ціною від 65.48 грн до 230.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP050N10NF2SAKMA1 IPP050N10NF2SAKMA1 INFINEON 3199858.pdf Description: INFINEON - IPP050N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.69 грн
10+111.01 грн
100+94.56 грн
500+73.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N10NF2SAKMA1 IPP050N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP050N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa66f3a90008 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.64 грн
50+105.26 грн
100+94.94 грн
500+72.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N10NF2SAKMA1 IPP050N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP050N10NF2S_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.24 грн
10+113.48 грн
100+88.81 грн
500+71.89 грн
1000+65.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N10NF2SAKMA1 3199858.pdf
IPP050N10NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP050N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+209.69 грн
10+111.01 грн
100+94.56 грн
500+73.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N10NF2SAKMA1 Infineon-IPP050N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa66f3a90008
IPP050N10NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+219.64 грн
50+105.26 грн
100+94.94 грн
500+72.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N10NF2SAKMA1 Infineon_IPP050N10NF2S_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPP050N10NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+230.24 грн
10+113.48 грн
100+88.81 грн
500+71.89 грн
1000+65.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.