IPP050N10NF2SAKMA1

IPP050N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies


infineon-ipp050n10nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+109.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP050N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP050N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm.

Інші пропозиції IPP050N10NF2SAKMA1 за ціною від 90.13 грн до 223.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP050N10NF2SAKMA1 IPP050N10NF2SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP050N10NF2S_DataSheet_v02_01_EN-3362518.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.07 грн
10+ 171.98 грн
25+ 140.2 грн
100+ 119.5 грн
250+ 118.84 грн
500+ 106.15 грн
1000+ 90.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP050N10NF2SAKMA1 IPP050N10NF2SAKMA1 Виробник : INFINEON 3199858.pdf Description: INFINEON - IPP050N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+223.18 грн
10+ 161.77 грн
100+ 134.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP050N10NF2SAKMA1
Код товару: 188954
Infineon-IPP050N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa66f3a90008 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP050N10NF2SAKMA1 IPP050N10NF2SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp050n10nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP050N10NF2SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp050n10nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A Tube
товар відсутній
IPP050N10NF2SAKMA1 IPP050N10NF2SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP050N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa66f3a90008 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
товар відсутній