IPP050N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 74.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP050N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP050N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP050N10NF2SAKMA1 за ціною від 63.44 грн до 214.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP050N10NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP050N10NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP050N10NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP050N10NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP050N10NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 1224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP050N10NF2SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP050N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPP050N10NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IPP050N10NF2SAKMA1 Код товару: 188954
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
IPP050N10NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPP050N10NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |