Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP051N15N5AKSA1
IPP051N15N5AKSA1

IPP051N15N5AKSA1 Infineon Technologies

1614024692139811infineon-ipp051n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP051N15N5AKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V.

Інші пропозиції IPP051N15N5AKSA1 за ціною від 178.34 грн до 454.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP051N15N5AKSA1 IPP051N15N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP051N15N5_DS_v02_01_EN-3362854.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.66 грн
25+244.76 грн
100+187.88 грн
500+178.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1
Код товару: 197743
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1 IPP051N15N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1614024692139811infineon-ipp051n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1 IPP051N15N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.