IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+400.12 грн
50+202.18 грн
100+184.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP051N15N5XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP051N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP051N15N5XKSA1 за ціною від 231.35 грн до 442.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP051N15N5XKSA1 IPP051N15N5XKSA1 Виробник : INFINEON 4098634.pdf Description: INFINEON - IPP051N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+442.93 грн
10+390.24 грн
100+231.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb IPP051N15N5XKSA1
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+371.64 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb IPP051N15N5XKSA1
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb IPP051N15N5XKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 IPP051N15N5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb MOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.