
IPP051N15N5XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPP051N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 5100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 417.78 грн |
10+ | 234.47 грн |
100+ | 214.01 грн |
500+ | 164.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP051N15N5XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPP051N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 5100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP051N15N5XKSA1 за ціною від 177.94 грн до 457.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPP051N15N5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP051N15N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP051N15N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP051N15N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP051N15N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
IPP051N15N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
IPP051N15N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPP051N15N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |