IPP051N15N5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
на замовлення 3471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 361.60 грн |
| 50+ | 182.79 грн |
| 100+ | 166.82 грн |
| 500+ | 130.31 грн |
| 1000+ | 128.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP051N15N5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP051N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 5100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP051N15N5XKSA1 за ціною від 186.44 грн до 479.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP051N15N5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP051N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 5100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPP051N15N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IPP051N15N5XKSA1 |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP051N15N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IPP051N15N5XKSA1 |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP051N15N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IPP051N15N5XKSA1 |
на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP051N15N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IPP051N15N5XKSA1 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
IPP051N15N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
товару немає в наявності |