Продукція > INFINEON > IPP051N15N5XKSA1
IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1 INFINEON

4098634.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP051N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 5100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+417.78 грн
10+234.47 грн
100+214.01 грн
500+164.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP051N15N5XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPP051N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 5100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP051N15N5XKSA1 за ціною від 177.94 грн до 457.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP051N15N5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+227.65 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb IPP051N15N5XKSA1
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+418.83 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb IPP051N15N5XKSA1
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+427.45 грн
51+242.32 грн
52+239.93 грн
53+225.00 грн
100+194.93 грн
250+177.94 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb IPP051N15N5XKSA1
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+457.93 грн
10+259.60 грн
25+257.04 грн
50+241.03 грн
100+208.83 грн
250+190.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb IPP051N15N5XKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 IPP051N15N5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 IPP051N15N5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp051n15n5-ds-en.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.