IPP052N06L3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP052N06L3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IPP052N06L3GXKSA1 за ціною від 53.55 грн до 116.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP052N06L3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 115W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP052N06L3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 115W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP052N06L3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP052N06L3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP052N06L3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP052N06L3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPP052N06L3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IPP052N06L3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IPP052N06L3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3 |
товар відсутній |