Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP052N08N5AKSA1
IPP052N08N5AKSA1

IPP052N08N5AKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipp052n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624ad04ef9014ade.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
130+109.08 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP052N08N5AKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP052N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 4600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP052N08N5AKSA1 за ціною від 62.52 грн до 217.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP052N08N5AKSA1 IPP052N08N5AKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP052N08N5_DS_v02_00_EN-1731989.pdf MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.59 грн
10+93.21 грн
100+66.89 грн
500+62.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N08N5AKSA1 IPP052N08N5AKSA1 INFINEON INFN-S-A0000250431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP052N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 4600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.09 грн
10+140.61 грн
100+103.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N08N5AKSA1 Infineon_IPP052N08N5_DS_v02_00_EN-1731989.pdf
IPP052N08N5AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+117.59 грн
10+93.21 грн
100+66.89 грн
500+62.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N08N5AKSA1 INFN-S-A0000250431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP052N08N5AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP052N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 4600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+217.09 грн
10+140.61 грн
100+103.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.