IPP052NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 55.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP052NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP052NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP052NE7N3GXKSA1 за ціною від 65.71 грн до 252.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP052NE7N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 150W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP052NE7N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 150W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP052NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP052NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP052NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP052NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP052NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V |
на замовлення 4482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP052NE7N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP052NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|