IPP055N08NF2SAKMA1

IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies


infineonipp055n08nf2sdatasheetv0201en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+92.00 грн
142+87.31 грн
500+64.48 грн
1000+60.93 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP055N08NF2SAKMA1 за ціною від 47.38 грн до 217.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP055N08NF2SAKMA1 IPP055N08NF2SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp055n08nf2sdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+138.79 грн
129+96.09 грн
169+72.93 грн
200+66.68 грн
500+60.13 грн
1000+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 IPP055N08NF2SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f6f7d91513e6 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 IPP055N08NF2SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP055N08NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.64 грн
10+90.03 грн
100+72.58 грн
500+59.51 грн
1000+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 IPP055N08NF2SAKMA1 Виробник : INFINEON 3199859.pdf Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+203.78 грн
10+98.05 грн
100+90.38 грн
500+68.88 грн
1000+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 IPP055N08NF2SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp055n08nf2sdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+217.48 грн
10+106.93 грн
100+96.50 грн
500+69.23 грн
1000+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f6f7d91513e6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 80V; 99A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 99A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+74.18 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 IPP055N08NF2SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp055n08nf2sdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 IPP055N08NF2SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp055n08nf2sdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp055n08nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.