IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 125.43 грн |
| 50+ | 96.74 грн |
| 100+ | 79.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPP055N08NF2SAKMA1 за ціною від 52.41 грн до 148.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP055N08NF2SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP055N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube |
на замовлення 353000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube |
на замовлення 607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube |
на замовлення 607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube |
на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube |
товар відсутній |