IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 182800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 238+ | 84.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP055N08NF2SAKMA1 за ціною від 49.64 грн до 227.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP055N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP055N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP055N08NF2SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP055N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP055N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPP055N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPP055N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPP055N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET > 60-80V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 99A; 107W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 99A Power dissipation: 107W Case: TO220-3 On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |