Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP055N08NF2SAKMA1
IPP055N08NF2SAKMA1

IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies

infineonipp055n08nf2sdatasheetv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
134+105.40 грн
142+100.03 грн
500+73.86 грн
1000+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP055N08NF2SAKMA1 за ціною від 50.21 грн до 232.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP055N08NF2SAKMA1 IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies infineonipp055n08nf2sdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.00 грн
129+110.07 грн
169+83.54 грн
200+76.39 грн
500+68.88 грн
1000+54.28 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f6f7d91513e6 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.89 грн
10+98.97 грн
50+74.94 грн
100+63.02 грн
500+50.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies infineonipp055n08nf2sdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.53 грн
10+114.33 грн
100+103.18 грн
500+74.02 грн
1000+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP055N08NF2S_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 IPP055N08NF2SAKMA1 INFINEON 3199859.pdf Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 infineonipp055n08nf2sdatasheetv0201en.pdf
IPP055N08NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
89+159.00 грн
129+110.07 грн
169+83.54 грн
200+76.39 грн
500+68.88 грн
1000+54.28 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f6f7d91513e6
IPP055N08NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.89 грн
10+98.97 грн
50+74.94 грн
100+63.02 грн
500+50.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 infineonipp055n08nf2sdatasheetv0201en.pdf
IPP055N08NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+232.53 грн
10+114.33 грн
100+103.18 грн
500+74.02 грн
1000+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon_IPP055N08NF2S_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPP055N08NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 3199859.pdf
IPP055N08NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.