IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPP055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f6f7d91513e6
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 182800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
238+85.55 грн
Мінімальне замовлення: 238 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET > 60-80V.

Інші пропозиції IPP055N08NF2SAKMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP055N08NF2SAKMA1 IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f6f7d91513e6 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP055N08NF2S_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f6f7d91513e6
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon_IPP055N08NF2S_DataSheet_v02_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.