IPP057N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 272+ | 43.17 грн |
| 285+ | 41.18 грн |
| 289+ | 40.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP057N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0047 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm.
Інші пропозиції IPP057N06N3GXKSA1 за ціною від 47.07 грн до 135.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 115W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 115W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 233 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0047 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |