Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPP057N06N3GXKSA1

IPP057N06N3GXKSA1

IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93
Код товару: 207071
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP057N06N3GXKSA1 за ціною від 56.25 грн до 139.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP057N06N3GXKSA1 IPP057N06N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.28 грн
50+97.11 грн
100+79.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N06N3GXKSA1 IPP057N06N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP_B057N06N3_DS_v02_02_en-3164877.pdf MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.79 грн
10+111.05 грн
100+79.65 грн
500+56.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N06N3GXKSA1 IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93
IPP057N06N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+125.28 грн
50+97.11 грн
100+79.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N06N3GXKSA1 Infineon_IPP_B057N06N3_DS_v02_02_en-3164877.pdf
IPP057N06N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+139.79 грн
10+111.05 грн
100+79.65 грн
500+56.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.