IPP057N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 43.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP057N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0047 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP057N06N3GXKSA1 за ціною від 40.87 грн до 151.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0047 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPP057N06N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP057N06N3GXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IPP057N06N3GXKSA1 Код товару: 207071
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|