Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP057N08N3GXKSA1
IPP057N08N3GXKSA1

IPP057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipb054n08n3g.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+125.65 грн
10+108.88 грн
100+103.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP057N08N3GXKSA1 за ціною від 75.65 грн до 243.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP057N08N3GXKSA1 IPP057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb054n08n3g.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.65 грн
130+108.88 грн
137+103.37 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N08N3GXKSA1 IPP057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb054n08n3g.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+152.75 грн
120+118.81 грн
500+100.98 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N08N3GXKSA1 IPP057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb054n08n3g.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+199.27 грн
10+180.35 грн
100+117.30 грн
250+111.98 грн
500+102.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N08N3GXKSA1 IPP057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb054n08n3g.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+199.56 грн
88+161.09 грн
100+151.48 грн
500+128.67 грн
1000+111.63 грн
2000+104.07 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N08N3GXKSA1 IPP057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP057N08N3-DS-v01_02-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304317a748360117cf0cf5951d06 Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.32 грн
50+118.09 грн
100+106.79 грн
500+81.62 грн
1000+75.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N08N3GXKSA1 IPP057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP057N08N3_DS_v01_02_en-1227177.pdf MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N08N3GXKSA1 IPP057N08N3GXKSA1 INFINEON INFNS16320-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N08N3GXKSA1 ipb054n08n3g.pdf
IPP057N08N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
113+125.65 грн
130+108.88 грн
137+103.37 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N08N3GXKSA1 ipb054n08n3g.pdf
IPP057N08N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+152.75 грн
120+118.81 грн
500+100.98 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N08N3GXKSA1 ipb054n08n3g.pdf
IPP057N08N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+199.27 грн
10+180.35 грн
100+117.30 грн
250+111.98 грн
500+102.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N08N3GXKSA1 ipb054n08n3g.pdf
IPP057N08N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
71+199.56 грн
88+161.09 грн
100+151.48 грн
500+128.67 грн
1000+111.63 грн
2000+104.07 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N08N3GXKSA1 Infineon-IPP057N08N3-DS-v01_02-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304317a748360117cf0cf5951d06
IPP057N08N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+243.32 грн
50+118.09 грн
100+106.79 грн
500+81.62 грн
1000+75.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N08N3GXKSA1 Infineon_IPP057N08N3_DS_v01_02_en-1227177.pdf
IPP057N08N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N08N3GXKSA1 INFNS16320-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP057N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.