IPP057N15NM6AKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 131.67 грн |
| 67000+ | 120.32 грн |
| 100500+ | 111.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP057N15NM6AKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP057N15NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 211W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP057N15NM6AKSA1 за ціною від 107.00 грн до 132.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP057N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPP057N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPP057N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package |
на замовлення 489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
IPP057N15NM6AKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP057N15NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP057N15NM6AKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 107+ | 131.71 грн |
| 117+ | 120.55 грн |
| 123+ | 115.10 грн |
| 127+ | 107.00 грн |
| IPP057N15NM6AKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 132.04 грн |
| 10+ | 120.71 грн |
| 25+ | 115.45 грн |
| 100+ | 107.07 грн |
| IPP057N15NM6AKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP057N15NM6AKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP057N15NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP057N15NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)