
IPP060N06NAKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 37.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP060N06NAKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP060N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP060N06NAKSA1 за ціною від 47.00 грн до 182.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP060N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP060N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP060N06NAKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP060N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPP060N06NAKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPP060N06NAKSA1 Код товару: 202357
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IPP060N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IPP060N06NAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TO220-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A On-state resistance: 6mΩ Power dissipation: 107W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IPP060N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IPP060N06NAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TO220-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A On-state resistance: 6mΩ Power dissipation: 107W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
товару немає в наявності |