на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 527.13 грн |
| 10+ | 312.47 грн |
| 100+ | 267.83 грн |
| 500+ | 250.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP069N20NM6AKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP069N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 136 A, 6300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 136A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP069N20NM6AKSA1 за ціною від 215.35 грн до 576.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP069N20NM6AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100VPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 136A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP069N20NM6AKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP069N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 136 A, 6300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 136A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPP069N20NM6AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
TRENCH >=100V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IPP069N20NM6AKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 136A; Idm: 544A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 136A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 73nC Pulsed drain current: 544A |
товару немає в наявності |