Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP069N20NM6AKSA1
IPP069N20NM6AKSA1

IPP069N20NM6AKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP069N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d327da1ee0f07
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+508.79 грн
50+262.64 грн
100+240.73 грн
500+189.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP069N20NM6AKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP069N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 136 A, 6300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 136A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP069N20NM6AKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP069N20NM6AKSA1 IPP069N20NM6AKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP069N20NM6_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP069N20NM6AKSA1 IPP069N20NM6AKSA1 INFINEON 4148565.pdf Description: INFINEON - IPP069N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 136 A, 6300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP069N20NM6AKSA1 Infineon_IPP069N20NM6_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPP069N20NM6AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP069N20NM6AKSA1 4148565.pdf
IPP069N20NM6AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP069N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 136 A, 6300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.