Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP072N10N3GXKSA1
IPP072N10N3GXKSA1

IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipp072n10n3g_rev21.1.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+111.47 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP072N10N3GXKSA1 за ціною від 76.16 грн до 214.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.48 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 29256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.48 грн
500+120.49 грн
1000+110.79 грн
10000+95.25 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+136.46 грн
114+124.81 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.66 грн
50+135.52 грн
100+123.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.50 грн
50+136.28 грн
100+123.87 грн
500+96.52 грн
1000+84.44 грн
2000+78.69 грн
5000+76.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.24 грн
103+138.00 грн
114+125.44 грн
500+97.74 грн
1000+85.51 грн
2000+79.69 грн
5000+77.13 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012393bed2d20405 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+214.52 грн
140+101.28 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 4497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 INFINEON Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012393bed2d20405 Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 ipp072n10n3g_rev21.1.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
266+133.48 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 ipp072n10n3g_rev21.1.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 29256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
266+133.48 грн
500+120.49 грн
1000+110.79 грн
10000+95.25 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 ipp072n10n3g_rev21.1.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
104+136.46 грн
114+124.81 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 ipp072n10n3g_rev21.1.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+136.66 грн
50+135.52 грн
100+123.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 ipp072n10n3g_rev21.1.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+137.50 грн
50+136.28 грн
100+123.87 грн
500+96.52 грн
1000+84.44 грн
2000+78.69 грн
5000+76.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 ipp072n10n3g_rev21.1.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
102+139.24 грн
103+138.00 грн
114+125.44 грн
500+97.74 грн
1000+85.51 грн
2000+79.69 грн
5000+77.13 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012393bed2d20405
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 ipp072n10n3g_rev21.1.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
67+214.52 грн
140+101.28 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 4497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012393bed2d20405
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.