Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP072N10N3GXKSA1
IPP072N10N3GXKSA1

IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP072N10N3GXKSA1 за ціною від 52.62 грн до 218.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 169000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+100.73 грн
50+98.86 грн
100+89.44 грн
500+69.71 грн
1000+57.63 грн
2000+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+108.54 грн
115+106.53 грн
127+96.37 грн
500+75.11 грн
1000+62.09 грн
2000+56.70 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
268+114.15 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+117.41 грн
114+107.63 грн
123+99.47 грн
500+76.42 грн
1000+62.17 грн
2000+57.73 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP072N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+182.00 грн
10+93.54 грн
14+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012393bed2d20405 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.85 грн
50+88.82 грн
100+83.19 грн
500+62.94 грн
1000+56.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : INFINEON INFNS16324-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+184.54 грн
10+108.35 грн
100+98.20 грн
500+72.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP072N10N3_G_DS_v02_01_en-1227072.pdf MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.16 грн
10+131.90 грн
100+86.78 грн
250+75.31 грн
500+71.69 грн
1000+64.37 грн
2500+62.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP072N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.40 грн
10+116.56 грн
14+79.23 грн
39+74.52 грн
5000+72.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.