Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP072N10N3GXKSA1
IPP072N10N3GXKSA1

IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipp072n10n3g_rev21.1.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+106.23 грн
2000+97.06 грн
3000+90.32 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm.

Інші пропозиції IPP072N10N3GXKSA1 за ціною від 66.92 грн до 252.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+127.46 грн
123+115.34 грн
500+92.84 грн
1000+87.29 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 159612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+132.89 грн
500+119.95 грн
1000+110.30 грн
10000+94.83 грн
100000+73.57 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP072N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+192.35 грн
10+110.89 грн
50+88.04 грн
100+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012393bed2d20405 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.49 грн
10+128.60 грн
50+98.23 грн
100+83.01 грн
500+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.95 грн
10+129.53 грн
100+117.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+240.95 грн
109+129.53 грн
120+117.94 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+252.15 грн
10+127.56 грн
100+115.44 грн
500+89.60 грн
1000+80.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 INFINEON Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012393bed2d20405 Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 ipp072n10n3g_rev21.1.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
111+127.46 грн
123+115.34 грн
500+92.84 грн
1000+87.29 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 ipp072n10n3g_rev21.1.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 159612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
266+132.89 грн
500+119.95 грн
1000+110.30 грн
10000+94.83 грн
100000+73.57 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3G-DTE.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+192.35 грн
10+110.89 грн
50+88.04 грн
100+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012393bed2d20405
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+206.49 грн
10+128.60 грн
50+98.23 грн
100+83.01 грн
500+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 ipp072n10n3g_rev21.1.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+240.95 грн
10+129.53 грн
100+117.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 ipp072n10n3g_rev21.1.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+240.95 грн
109+129.53 грн
120+117.94 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 ipp072n10n3g_rev21.1.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+252.15 грн
10+127.56 грн
100+115.44 грн
500+89.60 грн
1000+80.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012393bed2d20405
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.