Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP072N10N3GXKSA1
IPP072N10N3GXKSA1

IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP072N10N3GXKSA1 за ціною від 56.40 грн до 211.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 167000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+89.24 грн
84000+81.55 грн
126000+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+90.00 грн
50+88.68 грн
100+83.94 грн
500+74.84 грн
1000+68.44 грн
2000+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+90.66 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
266+116.00 грн
Мінімальне замовлення: 266
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB9B73C929C11C&compId=IPP072N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=d260db23e3d20eeacd48a1e3bfbdec5e82d2204c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.52 грн
10+69.67 грн
14+66.50 грн
39+62.55 грн
50+61.75 грн
100+60.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012393bed2d20405 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.17 грн
50+67.14 грн
100+64.76 грн
500+58.16 грн
1000+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+186.42 грн
130+95.26 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 1837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.85 грн
10+75.96 грн
100+61.49 грн
500+56.78 грн
1000+56.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB9B73C929C11C&compId=IPP072N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=d260db23e3d20eeacd48a1e3bfbdec5e82d2204c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.63 грн
10+86.82 грн
14+79.80 грн
39+75.05 грн
50+74.10 грн
100+72.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012393bed2d20405 Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+211.45 грн
11+82.62 грн
100+76.99 грн
500+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.