IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 86.59 грн |
| 155+ | 83.59 грн |
| 500+ | 80.00 грн |
| 1000+ | 70.02 грн |
| 2500+ | 64.18 грн |
| 5000+ | 61.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP072N10N3GXKSA1 за ціною від 51.73 грн до 240.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 5960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |