Інші пропозиції IPP075N15N3GXKSA1 за ціною від 84.14 грн до 300.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 12882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 12885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V |
на замовлення 1029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP075N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPP075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPP075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPP075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |