Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPP075N15N3GXKSA1

IPP075N15N3GXKSA1

Infineon-IPP075N15N3_G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012399f743143bad&redirId=133460
Код товару: 122947
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP075N15N3GXKSA1 за ціною від 85.28 грн до 435.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP075N15N3_G-DS-v02_06-en.pdf MOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.65 грн
10+136.98 грн
100+109.95 грн
500+90.22 грн
1000+85.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 INFINEON INFNS15413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304.25 грн
10+154.59 грн
100+140.61 грн
500+113.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP075N15N3_G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012399f743143bad&redirId=133460 Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.32 грн
50+218.24 грн
100+198.82 грн
500+154.66 грн
1000+144.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1 Infineon-IPP075N15N3_G-DS-v02_06-en.pdf
IPP075N15N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+274.65 грн
10+136.98 грн
100+109.95 грн
500+90.22 грн
1000+85.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1 INFNS15413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP075N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+304.25 грн
10+154.59 грн
100+140.61 грн
500+113.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1 Infineon-IPP075N15N3_G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012399f743143bad&redirId=133460
IPP075N15N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+435.32 грн
50+218.24 грн
100+198.82 грн
500+154.66 грн
1000+144.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.