
IPP076N12N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 88.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP076N12N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP076N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 6500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP076N12N3GXKSA1 за ціною від 102.31 грн до 446.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP076N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP076N12N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP076N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP076N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 60 V |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP076N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP076N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP076N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|