IPP076N15N5AKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP076N15N5AKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP076N15N5AKSA1 за ціною від 142.21 грн до 466.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP076N15N5AKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPP076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP076N15N5AKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 79A; 214W; PG-TO220-3 Drain-source voltage: 150V Drain current: 79A On-state resistance: 7.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 214W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 49nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PG-TO220-3 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP076N15N5AKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 79A; 214W; PG-TO220-3 Drain-source voltage: 150V Drain current: 79A On-state resistance: 7.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 214W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 49nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PG-TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP076N15N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP076N15N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP076N15N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 5010 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP076N15N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP076N15N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPP076N15N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10 Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |