IPP076N15N5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 261.01 грн |
| 50+ | 127.26 грн |
| 100+ | 115.18 грн |
| 500+ | 88.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP076N15N5XKSA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V.
Інші пропозиції IPP076N15N5XKSA1 за ціною від 83.16 грн до 269.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP076N15N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|