
IPP082N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
334+ | 36.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP082N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP082N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 77 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 100W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPP082N10NF2SAKMA1 за ціною від 33.85 грн до 144.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP082N10NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP082N10NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP082N10NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP082N10NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP082N10NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 266000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP082N10NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1081 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP082N10NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IPP082N10NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IPP082N10NF2SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IPP082N10NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |