Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP082N10NF2SAKMA1
IPP082N10NF2SAKMA1

IPP082N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP082N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa67027a000b
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
343+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP082N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP082N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 77 A, 7300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPP082N10NF2SAKMA1 за ціною від 43.06 грн до 171.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP082N10NF2SAKMA1 IPP082N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP082N10NF2S_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.03 грн
10+71.81 грн
100+56.67 грн
500+46.80 грн
1000+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP082N10NF2SAKMA1 IPP082N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP082N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa67027a000b Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.34 грн
50+76.19 грн
100+68.33 грн
500+51.21 грн
1000+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP082N10NF2SAKMA1 IPP082N10NF2SAKMA1 INFINEON Infineon-IPP082N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa67027a000b Description: INFINEON - IPP082N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 77 A, 7300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.04 грн
10+100.32 грн
100+76.56 грн
500+61.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP082N10NF2SAKMA1 Infineon_IPP082N10NF2S_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPP082N10NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+134.03 грн
10+71.81 грн
100+56.67 грн
500+46.80 грн
1000+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP082N10NF2SAKMA1 Infineon-IPP082N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa67027a000b
IPP082N10NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+163.34 грн
50+76.19 грн
100+68.33 грн
500+51.21 грн
1000+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP082N10NF2SAKMA1 Infineon-IPP082N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa67027a000b
IPP082N10NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP082N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 77 A, 7300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+171.04 грн
10+100.32 грн
100+76.56 грн
500+61.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.