Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP083N10N5XKSA1
IPP083N10N5XKSA1

IPP083N10N5XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP083N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac56a3779202b
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+169.31 грн
50+79.92 грн
100+71.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP083N10N5XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP083N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.0083 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm.

Інші пропозиції IPP083N10N5XKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP083N10N5XKSA1 IPP083N10N5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPA083N10N5_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP083N10N5XKSA1 INFINEON infineon-ipp083n10n5-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPP083N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.0083 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP083N10N5XKSA1 Infineon_IPA083N10N5_DS_v02_01_EN.pdf
IPP083N10N5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP083N10N5XKSA1 infineon-ipp083n10n5-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP083N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.0083 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.