Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP086N10N3 G
IPP086N10N3 G

IPP086N10N3 G Infineon Technologies

Infineon_IPP086N10N3G_DS_v02_06_en-1732006.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.23 грн
10+ 110.7 грн
100+ 78.76 грн
500+ 66.37 грн
1000+ 52.31 грн
5000+ 50.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP086N10N3 G Infineon Technologies

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8.

Інші пропозиції IPP086N10N3 G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP086N10N3G Виробник : Infineon technologies INFNS30358-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP086N10N3G IPP086N10N3G Виробник : Infineon Technologies INFNS30358-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
товар відсутній