Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP086N10N3 G
IPP086N10N3 G

IPP086N10N3 G Infineon Technologies

Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.81 грн
10+95.17 грн
100+64.60 грн
500+53.75 грн
1000+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP086N10N3 G Infineon Technologies

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8.

Інші пропозиції IPP086N10N3 G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP086N10N3G Виробник : Infineon technologies INFNS30358-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP086N10N3G IPP086N10N3G Виробник : Infineon Technologies INFNS30358-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.