Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP089N15NM6AKSA1
IPP089N15NM6AKSA1

IPP089N15NM6AKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipp089n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+103.60 грн
1000+102.43 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP089N15NM6AKSA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 88A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 32A, 15V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V.

Інші пропозиції IPP089N15NM6AKSA1 за ціною від 67.79 грн до 239.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP089N15NM6AKSA1 IPP089N15NM6AKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp089n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+103.60 грн
1000+102.43 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP089N15NM6AKSA1 IPP089N15NM6AKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp089n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 90500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+115.90 грн
45000+105.91 грн
67500+98.54 грн
90000+89.62 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP089N15NM6AKSA1 IPP089N15NM6AKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp089n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+144.02 грн
113+129.61 грн
500+105.46 грн
1000+98.55 грн
2000+87.25 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP089N15NM6AKSA1 IPP089N15NM6AKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp089n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+160.81 грн
100+145.03 грн
500+117.37 грн
1000+104.61 грн
2000+90.18 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP089N15NM6AKSA1 IPP089N15NM6AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP089N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752e4c67042 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 88A; 158W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 88A
Power dissipation: 158W
Case: TO220-3
On-state resistance: 8.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+203.46 грн
10+109.29 грн
50+94.89 грн
100+88.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP089N15NM6AKSA1 IPP089N15NM6AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP089N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752e4c67042 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 32A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.70 грн
50+105.83 грн
100+95.42 грн
500+72.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP089N15NM6AKSA1 IPP089N15NM6AKSA1 Infineon Technologies infineon_ipp089n15nm6_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+239.99 грн
10+118.28 грн
100+85.58 грн
500+74.25 грн
1000+72.97 грн
2500+67.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP089N15NM6AKSA1 infineon-ipp089n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
IPP089N15NM6AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+103.60 грн
1000+102.43 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP089N15NM6AKSA1 infineon-ipp089n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
IPP089N15NM6AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 90500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+115.90 грн
45000+105.91 грн
67500+98.54 грн
90000+89.62 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP089N15NM6AKSA1 infineon-ipp089n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
IPP089N15NM6AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
102+144.02 грн
113+129.61 грн
500+105.46 грн
1000+98.55 грн
2000+87.25 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP089N15NM6AKSA1 infineon-ipp089n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
IPP089N15NM6AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+160.81 грн
100+145.03 грн
500+117.37 грн
1000+104.61 грн
2000+90.18 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP089N15NM6AKSA1 Infineon-IPP089N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752e4c67042
IPP089N15NM6AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 88A; 158W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 88A
Power dissipation: 158W
Case: TO220-3
On-state resistance: 8.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+203.46 грн
10+109.29 грн
50+94.89 грн
100+88.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP089N15NM6AKSA1 Infineon-IPP089N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752e4c67042
IPP089N15NM6AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 32A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+221.70 грн
50+105.83 грн
100+95.42 грн
500+72.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP089N15NM6AKSA1 infineon_ipp089n15nm6_datasheet_en.pdf
IPP089N15NM6AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.99 грн
10+118.28 грн
100+85.58 грн
500+74.25 грн
1000+72.97 грн
2500+67.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.