IPP08CNE8NG

IPP08CNE8NG Infineon Technologies


INFNS16328-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
341+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP08CNE8NG Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 95A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6690 pF @ 40 V.

Інші пропозиції IPP08CNE8NG за ціною від 83.41 грн до 83.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP08CNE8NG Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS16328-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP08CNE8NG - IPP08CNE8 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
304+83.41 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
IPP08CNE8N G IPP08CNE8N G Виробник : Infineon Technologies IP%28B%2CI%2CP%2908CNE8N_G.pdf Description: MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6690 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.