IPP093N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 56.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP093N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IPP093N06N3GXKSA1 за ціною від 111.80 грн до 111.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP093N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IPP093N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
 |
IPP093N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IPP093N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IPP093N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
товару немає в наявності |