IPP095N20NM6AKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 274.53 грн |
| 10+ | 249.45 грн |
| 25+ | 238.89 грн |
| 100+ | 222.30 грн |
| 500+ | 200.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP095N20NM6AKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 116A; Idm: 464A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 116A, Pulsed drain current: 464A, Power dissipation: 300W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 9.5mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 53nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IPP095N20NM6AKSA1 за ціною від 136.05 грн до 389.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP095N20NM6AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP095N20NM6AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IPP095N20NM6AKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 116A; Idm: 464A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 116A Pulsed drain current: 464A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |