IPP095N20NM6AKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 294.18 грн |
| 10+ | 267.31 грн |
| 25+ | 256.00 грн |
| 100+ | 238.22 грн |
| 500+ | 215.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP095N20NM6AKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 116A; Idm: 464A, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 116A, Pulsed drain current: 464A, Power dissipation: 300W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 9.5mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 53nC, Technology: OptiMOS™ 6.
Інші пропозиції IPP095N20NM6AKSA1 за ціною від 144.11 грн до 400.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP095N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: IPP095N20NM6AKSA1 |
на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPP095N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V |
на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP095N20NM6AKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP095N20NM6AKSA1
Description: IPP095N20NM6AKSA1
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 400.63 грн |
| 50+ | 202.40 грн |
| 100+ | 184.65 грн |
| 500+ | 144.11 грн |
| IPP095N20NM6AKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)