IPP100N06S2L05AKSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 363.95 грн |
| 10+ | 232.50 грн |
| 100+ | 165.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP100N06S2L05AKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP100N06S2L05AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 5900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPP100N06S2L05AKSA2 за ціною від 126.16 грн до 379.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP100N06S2L05AKSA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP100N06S2L05AKSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP100N06S2L05AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 5900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPP100N06S2L05AKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 100A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 55V Drain current: 100A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Technology: MOSFET |
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IPP100N06S2L05AKSA2 | Infineon |
|
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP100N06S2L05AKSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 376.61 грн |
| 10+ | 192.10 грн |
| 100+ | 152.95 грн |
| 500+ | 145.19 грн |
| 1000+ | 126.16 грн |
| IPP100N06S2L05AKSA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP100N06S2L05AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 5900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPP100N06S2L05AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 5900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 379.08 грн |
| 10+ | 197.35 грн |
| 100+ | 179.26 грн |
| IPP100N06S2L05AKSA2 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 100A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 100A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 213.80 грн |
| 200+ | 179.01 грн |
| IPP100N06S2L05AKSA2 |
|
Виробник: Infineon
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)