на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 312.40 грн |
| 10+ | 223.65 грн |
| 100+ | 143.68 грн |
| 500+ | 129.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP100N06S2L05AKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP100N06S2L05AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP100N06S2L05AKSA2 за ціною від 163.95 грн до 360.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP100N06S2L05AKSA2 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPP100N06S2L05AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0059 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP100N06S2L05AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V |
на замовлення 456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPP100N06S2L05AKSA2 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
IPP100N06S2L05AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IPP100N06S2L05AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |