Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP100N06S2L05AKSA2
IPP100N06S2L05AKSA2

IPP100N06S2L05AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES

infineon-ipp100n06s2l-05-datasheet-cn.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+311.11 грн
6+179.60 грн
15+169.44 грн
50+165.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP100N06S2L05AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPP100N06S2L05AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 5900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm.

Інші пропозиції IPP100N06S2L05AKSA2 за ціною від 137.39 грн до 405.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP100N06S2L05AKSA2 IPP100N06S2L05AKSA2 Infineon Technologies infineon-ipp100n06s2l-05-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.48 грн
10+241.55 грн
50+189.06 грн
100+161.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S2L05AKSA2 IPP100N06S2L05AKSA2 Infineon Technologies infineon_ipp_b100n06s2l_05_ds_en_09018a90800131e2.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+405.53 грн
10+208.07 грн
100+164.41 грн
500+137.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S2L05AKSA2 IPP100N06S2L05AKSA2 INFINEON 3204732.pdf Description: INFINEON - IPP100N06S2L05AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 5900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S2L05AKSA2 infineon-ipp100n06s2l-05-datasheet-cn.pdf
IPP100N06S2L05AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+378.48 грн
10+241.55 грн
50+189.06 грн
100+161.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S2L05AKSA2 infineon_ipp_b100n06s2l_05_ds_en_09018a90800131e2.pdf
IPP100N06S2L05AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+405.53 грн
10+208.07 грн
100+164.41 грн
500+137.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S2L05AKSA2 3204732.pdf
IPP100N06S2L05AKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP100N06S2L05AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 5900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.