IPP100N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 154.03 грн |
| 10+ | 126.10 грн |
| 100+ | 87.27 грн |
| 500+ | 73.55 грн |
| 1000+ | 59.38 грн |
| 5000+ | 57.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP100N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP100N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPP100N08N3GXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP100N08N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPP100N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0084 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
IPP100N08N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IPP100N08N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |