Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP110N20NAAKSA1
IPP110N20NAAKSA1

IPP110N20NAAKSA1 Infineon Technologies

ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+366.08 грн
34+ 350.36 грн
50+ 337.01 грн
Мінімальне замовлення: 32
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP110N20NAAKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP110N20NAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm.

Інші пропозиції IPP110N20NAAKSA1 за ціною від 322.55 грн до 808.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP110N20NA_IPB107N20NA+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043300464130130307ce52a20a3 Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+629.74 грн
50+ 483.73 грн
100+ 432.81 грн
500+ 358.39 грн
1000+ 322.55 грн
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Виробник : INFINEON INFNS15477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP110N20NAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+705.49 грн
5+ 616.37 грн
10+ 526.49 грн
50+ 462.46 грн
100+ 402.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+808.36 грн
20+ 588.96 грн
50+ 522.65 грн
100+ 473.9 грн
200+ 413.55 грн
500+ 369.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20NA-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP110N20NA_IPB107N20NA_DS_v02_01_en-1730693.pdf MOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20NA-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній