Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP110N20NAAKSA1
IPP110N20NAAKSA1

IPP110N20NAAKSA1 Infineon Technologies

ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+341.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP110N20NAAKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP110N20NAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP110N20NAAKSA1 за ціною від 302.65 грн до 628.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
64+482.81 грн
100+458.46 грн
500+434.12 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
64+482.81 грн
100+458.46 грн
500+434.12 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+589.92 грн
22+558.27 грн
50+406.53 грн
100+370.89 грн
200+326.75 грн
500+306.72 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Виробник : INFINEON IPP110N20NA_IPB107N20NA+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043300464130130307ce52a20a3 Description: INFINEON - IPP110N20NAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+628.73 грн
5+619.57 грн
10+610.41 грн
50+334.83 грн
100+302.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8F45FEA3211C&compId=IPP110N20NA-DTE.pdf?ci_sign=70b94064ff7df98367394afbee4bceb42f627658 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP110N20NA_IPB107N20NA+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043300464130130307ce52a20a3 Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP110N20NA_IPB107N20NA_DS_v02_01_en-1730693.pdf MOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8F45FEA3211C&compId=IPP110N20NA-DTE.pdf?ci_sign=70b94064ff7df98367394afbee4bceb42f627658 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.