IPP114N12N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 50.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP114N12N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP114N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.0098 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP114N12N3GXKSA1 за ціною від 81.04 грн до 226.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP114N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP114N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP114N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP114N12N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3 Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Drain-source voltage: 120V Drain current: 75A On-state resistance: 11.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP114N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V |
на замовлення 406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP114N12N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP114N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.0098 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP114N12N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3 Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Drain-source voltage: 120V Drain current: 75A On-state resistance: 11.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP114N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPP114N12N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |