IPP120N10S403AKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 108+ | 213.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP120N10S403AKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPP120N10S403AKSA1 за ціною від 178.70 грн до 260.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP120N10S403AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-CHANNEL 100+ |
на замовлення 513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP120N10S403AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP120N10S403AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 7268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP120N10S403AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 13700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPP120N10S403AKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP120N10S403AKSA1 - IPP120N10 75V-100V N-CHANNEL AUTOMOTIVEtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 20700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
IPP120N10S403AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
IPP120N10S403AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |

