
IPP120N10S405AKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPP120N10S405AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 296.31 грн |
10+ | 248.28 грн |
100+ | 200.26 грн |
500+ | 127.75 грн |
1000+ | 104.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP120N10S405AKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPP120N10S405AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPP120N10S405AKSA1 за ціною від 132.80 грн до 299.70 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP120N10S405AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP120N10S405AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IPP120N10S405AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |