IPP120N20NFDAKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 79+ | 177.86 грн |
| 83+ | 171.09 грн |
| 100+ | 165.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP120N20NFDAKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP120N20NFDAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0106 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP120N20NFDAKSA1 за ціною від 134.50 грн до 744.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon |
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFDA TIPP120n20nfdaкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 84A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IPP120N20NFDAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 84A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ FD |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 5454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 200V 84A TO220-3 |
на замовлення 1012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IPP120N20NFDAKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP120N20NFDAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0106 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP120N20NFDAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFDA TIPP120n20nfda
кількість в упаковці: 5 шт
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFDA TIPP120n20nfda
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 254.34 грн |
| IPP120N20NFDAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 84A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 84A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 335.60 грн |
| 50+ | 134.50 грн |
| IPP120N20NFDAKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 444.35 грн |
| IPP120N20NFDAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 474.06 грн |
| 34+ | 419.47 грн |
| 36+ | 398.89 грн |
| 100+ | 344.62 грн |
| 250+ | 307.56 грн |
| 500+ | 272.50 грн |
| 1000+ | 247.33 грн |
| IPP120N20NFDAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 512.39 грн |
| 10+ | 453.38 грн |
| 25+ | 431.14 грн |
| 100+ | 372.49 грн |
| 250+ | 332.43 грн |
| 500+ | 294.53 грн |
| 1000+ | 267.32 грн |
| IPP120N20NFDAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 744.60 грн |
| 22+ | 662.64 грн |
| 50+ | 578.35 грн |
| 100+ | 513.67 грн |
| 200+ | 471.44 грн |
| 500+ | 401.40 грн |
| 1000+ | 339.18 грн |
| 2000+ | 332.16 грн |
| 4000+ | 310.08 грн |
| IPP120N20NFDAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 84A TO220-3
MOSFETs N-Ch 200V 84A TO220-3
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP120N20NFDAKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP120N20NFDAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0106 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP120N20NFDAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0106 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







