IPP120N20NFDAKSA1 Infineon
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFDA TIPP120n20nfda
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 261.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP120N20NFDAKSA1 Infineon
Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 84A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP120N20NFDAKSA1 за ціною від 136.74 грн до 457.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 84A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 200V 84A TO220-3 |
на замовлення 1012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPP120N20NFDAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 84A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ FD |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IPP120N20NFDAKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 84A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 84A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 345.72 грн |
| 50+ | 138.56 грн |
| IPP120N20NFDAKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 84A TO220-3
MOSFETs N-Ch 200V 84A TO220-3
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 397.99 грн |
| 10+ | 354.21 грн |
| 25+ | 136.74 грн |
| IPP120N20NFDAKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 457.75 грн |