IPP120P04P4L03AKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP120P04P4L03AKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP120P04P4L03AKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Dauer-Drainstrom Id: 120, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 136, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: OptiMOS P2, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IPP120P04P4L03AKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP120P04P4L03AKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product. |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IPP120P04P4L03AKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP120P04P4L03AKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 120 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 136 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: OptiMOS P2 Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IPP120P04P4L03AKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
IPP120P04P4L03AKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPP120P04P4L03AKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product.
MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product.
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPP120P04P4L03AKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP120P04P4L03AKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS P2
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IPP120P04P4L03AKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS P2
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPP120P04P4L03AKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPP120P04P4L03AKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.