
на замовлення 9453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 123.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP120P04P4L03AKSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції IPP120P04P4L03AKSA2 за ціною від 129.32 грн до 370.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP120P04P4L03AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP120P04P4L03AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP120P04P4L03AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP120P04P4L03AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP120P04P4L03AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP120P04P4L03AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP120P04P4L03AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP120P04P4L03AKSA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP120P04P4L03AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IPP120P04P4L03AKSA2 Код товару: 203742
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
IPP120P04P4L03AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPP120P04P4L03AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |