Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP126N10N3GXKSA1
IPP126N10N3GXKSA1

IPP126N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBA5EB3E6F411C&compId=IPP126N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=35a144c2f33ca71b6a8eca3700b3927fd3fd0b32 Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
On-state resistance: 12.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.70 грн
10+70.50 грн
15+61.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP126N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 46A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPP126N10N3GXKSA1 за ціною від 69.08 грн до 120.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP126N10N3GXKSA1 IPP126N10N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBA5EB3E6F411C&compId=IPP126N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=35a144c2f33ca71b6a8eca3700b3927fd3fd0b32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
On-state resistance: 12.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+99.32 грн
10+84.60 грн
15+73.57 грн
41+69.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP126N10N3GXKSA1 IPP126N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP126N10N3_G_DS_v02_03_EN-3362650.pdf MOSFET N-Ch 100V 58A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.16 грн
500+114.21 грн
1000+69.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP126N10N3GXKSA1 IPP126N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1225356139960783infineon-ipp126n10n3g-ds-v02_03-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP126N10N3GXKSA1 IPP126N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB123N10N3+G-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ffe55aac64b6e Description: MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.