Технічний опис IPP129N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP129N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP129N10NF2SAKMA1 за ціною від 47.71 грн до 153.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V |
на замовлення 977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IPP129N10NF2SAKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP129N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP129N10NF2SAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 206+ | 68.41 грн |
| 228+ | 61.79 грн |
| IPP129N10NF2SAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 68.72 грн |
| 100+ | 62.07 грн |
| IPP129N10NF2SAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 115+ | 122.93 грн |
| 125+ | 112.63 грн |
| 154+ | 91.67 грн |
| 200+ | 82.64 грн |
| 500+ | 76.31 грн |
| 1000+ | 65.13 грн |
| IPP129N10NF2SAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 153.18 грн |
| 50+ | 71.28 грн |
| 100+ | 63.85 грн |
| 500+ | 47.71 грн |
| IPP129N10NF2SAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP129N10NF2SAKMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP129N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP129N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)